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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.92 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 70 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 14 A | 最大漏极电流 (ID)： | 14 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.16 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 100 pF | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 75 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 56 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Powers | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 145 ns | 最大开启时间（吨）： | 60 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK463-100A,118 | NXP |
获取价格 |
14A, 100V, 0.16ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| BUK463-100A118 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 14 A, 100 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK463-100A-T | NXP |
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TRANSISTOR 14 A, 100 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK463-60A | NXP |
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PowerMOS transistor |
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| BUK463-60A-T | NXP |
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TRANSISTOR 22 A, 60 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK463-60B | NXP |
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PowerMOS transistor |
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| BUK464-200A | NXP |
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PowerMOS transistor |
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| BUK464-60H | NXP |
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PowerMOS transistor |
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| BUK465-100A | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
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| BUK465-100A,118 | NXP |
获取价格 |
26A, 100V, 0.08ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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