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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.82 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 800 V | 最大漏极电流 (ID)： | 3.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 14 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK457-400 | NXP |
获取价格 |
POWER MOS TRANSISTOR |
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| BUK457-400A | NXP |
获取价格 |
POWER MOS TRANSISTOR |
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| BUK457-400B | NXP |
获取价格 |
POWER MOS TRANSISTOR |
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| BUK457-450B | ETC |
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N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK457-500A | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK457-500B | NXP |
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TRANSISTOR 9 A, 500 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC PACKAGE-3, |
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| BUK457-600A | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK457-600B | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 7.1 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purp |
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| BUK462-100A | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
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| BUK462-100A,118 | NXP |
获取价格 |
11A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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