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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.25 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 400 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 11 A | 最大漏源导通电阻： | 0.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 120 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 150 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 44 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 340 ns | 最大开启时间（吨）： | 130 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK457-450B | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK457-500A | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK457-500B | NXP |
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TRANSISTOR 9 A, 500 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC PACKAGE-3, |
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| BUK457-600A | ETC |
获取价格 |
N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK457-600B | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 7.1 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purp |
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| BUK462-100A | NXP |
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PowerMOS transistor |
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| BUK462-100A,118 | NXP |
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11A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| BUK462-100A118 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 11 A, 100 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK462-60A | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
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| BUK462-60A-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 15 A, 60 V, 0.13 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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