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BUK457-600B

更新时间: 2024-11-05 21:12:19
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
1页 46K
描述
TRANSISTOR 7.1 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpose Power

BUK457-600B 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.26
Is Samacsys:N外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:600 V
最大漏极电流 (ID):7.1 A最大漏源导通电阻:1.2 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):120 pF
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:150 W最大脉冲漏极电流 (IDM):28 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):340 ns最大开启时间(吨):130 ns
Base Number Matches:1

BUK457-600B 数据手册

  

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