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BSS84 PDF预览

BSS84

更新时间： 2023-09-03 20:34:21
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 238K
描述
P沟道增强型场效应晶体管-50V，-0.13A，10Ω

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BSS84 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.56
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：50 V
最大漏极电流 (ID)：0.13 A最大漏源导通电阻：10 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.225 W
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BSS84 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
D
S
P-Channel Enhancement  
Mode Field-Effect  
Transistor  
G
BSS84  
General Description  
This P−channel enhancement−mode field−effect transistor is  
produced using onsemi’s proprietary, high cell density, DMOS  
technology. This very high density process minimizes on−state  
resistance and to provide rugged and reliable performance and fast  
switching. The BSS84 can be used, with a minimum of effort, in most  
applications requiring up to 0.13 A DC and can deliver current up to  
0.52 A. This product is particularly suited to low−voltage applications  
requiring a low−current high−side switch.  
SOT−23−3  
CASE 318−08  
MARKING DIAGRAM  
3
Drain  
Features  
• −0.13 A, −50 V, R  
SPMG  
= 10 W at V = −5 V  
GS  
DS(on)  
G
• Voltage−Controlled P−Channel Small−Signal Switch  
• High−Density Cell Design for Low R  
1
2
DS(on)  
Gate  
Source  
• High Saturation Current  
SP  
M
G
= Specific Device Code  
= Date Code*  
= Pb−Free Package  
• This Device is Pb−Free and Halogen Free  
(Note: Microdot may be in either location)  
*Date Code orientation and/or position may vary  
depending upon manufacturing location.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
BSS84,  
Package  
Shipping  
SOT−23−3  
(Pb−Free)  
3000 /  
BSS84−G  
Tape & Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2002  
1
Publication Order Number:  
October, 2021 − Rev. 5  
BSS84/D  
12345678

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BSS84 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BSS84LT1G ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET 130 mA, 50 V
BSS84LT1 ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET 130 mA, 50 V
BSS84 FAIRCHILD

功能相似

 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

与BSS84相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSS84,215 NXP

获取价格

 		BSS84 - P-channel vertical D-MOS logic level FET TO-236 3-Pin
BSS84.215 NXP

获取价格

 		P-channel enhancement mode vertical DMOS transistor
BSS84/D87Z TI

获取价格

 		130mA, 50V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
BSS84/DG NXP

获取价格

 		P-channel enhancement mode vertical DMOS transistor
BSS84/S62Z TI

获取价格

 		130mA, 50V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
BSS84_1 PANJIT

获取价格

 		P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BSS84_10 DIODES

获取价格

 		P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BSS84_14 PANJIT

获取价格

 		P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
BSS84_15 DIODES

获取价格

 		P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
BSS84_17 DIODES

获取价格

 		P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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