5秒后页面跳转
BSS84/S62Z PDF预览

BSS84/S62Z

更新时间: 2024-11-19 19:47:07
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 148K
描述
130mA, 50V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB

BSS84/S62Z 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.56
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:50 V
最大漏极电流 (ID):0.13 A最大漏源导通电阻:10 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):12 pF
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:P-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BSS84/S62Z 数据手册

 浏览型号BSS84/S62Z的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSS84/S62Z的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSS84/S62Z的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSS84/S62Z的Datasheet PDF文件第5页 

与BSS84/S62Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSS84_1 PANJIT

获取价格

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BSS84_10 DIODES

获取价格

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BSS84_14 PANJIT

获取价格

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
BSS84_15 DIODES

获取价格

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
BSS84_17 DIODES

获取价格

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
BSS8402DW PANJIT

获取价格

COMPLIMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFETS
BSS8402DW DIODES

获取价格

COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BSS8402DW LGE

获取价格

场效应晶体管
BSS8402DW MCC

获取价格

Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
BSS8402DW BL Galaxy Electrical

获取价格

N:0.115A, 60V, 0.2W, Dual MOSFETs P:-0.13A, -50V, 0.2W, Dual MOSFETs