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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSS84/DG | NXP |
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P-channel enhancement mode vertical DMOS transistor |
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| BSS84/S62Z | TI |
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130mA, 50V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
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| BSS84_1 | PANJIT |
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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| BSS84_10 | DIODES |
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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| BSS84_14 | PANJIT |
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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| BSS84_15 | DIODES |
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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| BSS84_17 | DIODES |
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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| BSS8402DW | PANJIT |
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COMPLIMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFETS |
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| BSS8402DW | DIODES |
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COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| BSS8402DW | LGE |
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场效应晶体管 |
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