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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SC-70 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.05 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW THRESHOLD | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.13 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.115 A | 最大漏源导通电阻： | 7 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 5 pF |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSS84-13-F | DIODES |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| BSS84-3L | BL Galaxy Electrical |
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-50V, P Channel, Small Signal MOSFETs |
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| BSS84-7 | DIODES |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| BSS84-7-F | PANJIT |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| BSS84-7-F | DIODES |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| BSS84A | MCC |
获取价格 |
Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.; |
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| BSS84AE | ANBON |
获取价格 |
SOT-23 |
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| BSS84AE-Q1 | ANBON |
获取价格 |
SOT-23 |
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| BSS84AHZG | ROHM |
获取价格 |
BSS84AHZG在SOT-23封装中内置单Pch -60V -0.23A MOSFET和 |
|
| BSS84AK | NXP |
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50 V, 180 mA P-channel Trench MOSFET |
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