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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SC-70 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.05 | 其他特性： | LOW THRESHOLD |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.13 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.115 A |
| 最大漏源导通电阻： | 7 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 5 pF | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSS8402DWT/R7 | PANJIT |
获取价格 |
COMPLIMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFETS |
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| BSS8402DWT/R7-R | PANJIT |
获取价格 |
COMPLIMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFETS |
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| BSS84-13-F | DIODES |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| BSS84-3L | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
-50V, P Channel, Small Signal MOSFETs |
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| BSS84-7 | DIODES |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| BSS84-7-F | PANJIT |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| BSS84-7-F | DIODES |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| BSS84A | MCC |
获取价格 |
Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.; |
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| BSS84AE | ANBON |
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SOT-23 |
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| BSS84AE-Q1 | ANBON |
获取价格 |
SOT-23 |
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