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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> BSS8402DW-7
BSS8402DW-7 PDF预览

BSS8402DW-7

更新时间： 2024-11-18 22:11:39
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 131K
描述
COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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BSS8402DW-7 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：PLASTC PACKAGE-6针数：6
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.04Is Samacsys：N
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：0.115 A最大漏源导通电阻：7.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：5 pF
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：235
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSS8402DW-7 数据手册

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BSS8402DW  
COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE FIELD  
EFFECT TRANSISTOR  
SPICE MODELS: BSS8402DW  
Features  
·
·
·
·
·
·
·
Low On-Resistance: RDS(ON)  
Low Gate Threshold Voltage  
Low Input Capacitance  
Fast Switching Speed  
Low Input/Output Leakage  
Complementary Pair  
SOT-363  
A
G1  
S1  
D2  
Dim  
A
Min  
0.10  
1.15  
2.00  
Max  
0.30  
1.35  
2.20  
C
B
B
S2  
G2  
D1  
C
Also Available in Lead Free Version  
G
H
D
0.65 Nominal  
Mechanical Data  
·
·
F
0.30  
1.80  
¾
0.40  
2.20  
0.10  
1.00  
0.40  
0.25  
8°  
K
J
H
Case: SOT-363, Molded Plastic  
Case material - UL Flammability Rating  
Classification 94V-0  
Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020A  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
Also Available in Lead Free Plating (Matte Tin  
Finish). Please see Ordering Information,  
Note 4, on Page 5  
M
J
K
L
0.90  
0.25  
0.10  
0°  
D
F
·
·
L
TOP VIEW  
M
D1  
G2  
S2  
a
·
All Dimensions in mm  
Q1  
Q2  
·
·
·
Terminal Connections: See Diagram  
Marking: KNP (See Page 5)  
Weight: 0.008 grams (approx.)  
S1  
G1  
D2  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings - Total Device  
Characteristic  
Power Dissipation (Note 1)  
Symbol  
Pd  
Value  
Units  
mW  
°C/W  
°C  
200  
625  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj, TSTG  
-55 to +150  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings N-CHANNEL - Q1, 2N7002 Section  
Characteristic  
Drain-Source Voltage  
Symbol  
VDSS  
Value  
60  
Units  
V
V
VDGR  
60  
Drain-Gate Voltage RGS £ 1.0MW  
Gate-Source Voltage  
Continuous  
Pulsed  
20  
40  
VGSS  
V
115  
73  
800  
Drain Current (Note 1)  
Continuous  
Continuous @ 100°C  
Pulsed  
ID  
mA  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings P-CHANNEL - Q2, BSS84 Section  
Characteristic  
Drain-Source Voltage  
Symbol  
VDSS  
VDGR  
VGSS  
ID  
Value  
-50  
Units  
V
-50  
V
Drain-Gate Voltage RGS £ 20KW  
Gate-Source Voltage  
Continuous  
Continuous  
±20  
V
mA  
Drain Current (Note 1)  
-130  
Note:  
1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout  
document AP02001, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
DS30380 Rev. 4 - 2  
1 of 5  
BSS8402DW  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
12345

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BSS8402DW-7 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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