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BSS84 PDF预览

BSS84

更新时间： 2024-09-23 22:39:39
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 140K
描述
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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BSS84 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：3.5
Samacsys Description：P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：50 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.13 A
最大漏极电流 (ID)：0.13 A最大漏源导通电阻：10 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：12 pF
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.25 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

BSS84 数据手册

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July 2002  
BSS84  
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
Features  
General Description  
These P-Channel enhancement mode field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
high cell density, DMOS technology. This very high  
density process has been designed to minimize on-  
state resistance, provide rugged and reliable  
performance and fast switching. They can be used, with  
a minimum of effort, in most applications requiring up to  
0.13A DC and can deliver current up to 0.52A.  
•
−0.13A, −50V. RDS(ON) = 10Ω @ VGS = −5 V  
•
•
Voltage controlled p-channel small signal switch  
High density cell design for low RDS(ON)  
•
High saturation current  
This product is particularly suited to low voltage  
applications requiring a low current high side switch.  
D
D
S
G
S
G
SOT-23  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
−50  
Units  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
±20  
ID  
(Note 1)  
(Note 1)  
−0.13  
−0.52  
0.36  
Maximum Power Dissipation  
Derate Above 25°C  
PD  
W
mW/°C  
2.9  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
−55 to +150  
°C  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/16” from Case for 10 Seconds  
300  
350  
Thermal Characteristics  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1)  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
SP  
BSS84  
7’’  
8mm  
3000 units  
BSS84 Rev B(W)  
2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

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BSS84 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BSS84-7-F DIODES

功能相似

 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
BSS84LT1G ONSEMI

功能相似

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与BSS84相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSS84,215 NXP

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 		BSS84 - P-channel vertical D-MOS logic level FET TO-236 3-Pin
BSS84.215 NXP

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 		P-channel enhancement mode vertical DMOS transistor
BSS84/D87Z TI

获取价格

 		130mA, 50V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
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 		P-channel enhancement mode vertical DMOS transistor
BSS84/S62Z TI

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 		130mA, 50V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
BSS84_1 PANJIT

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 		P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BSS84_14 PANJIT

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