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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | SOT-23 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 0.96 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 95 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BSS63 | ONSEMI |
类似代替  |
PNP 通用放大器 |
|
| BSS63LT1 | ONSEMI |
类似代替 |
High Voltage Transistor(PNP Silicon) |
|
| BSS63 | FAIRCHILD |
功能相似 |
PNP General Purpose Amplifier |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSS63LT3 | MOTOROLA |
获取价格 |
100mA, 100V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN |
|
| BSS63-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
PNP high-voltage transistorProduction |
|
| BSS63R | TYSEMI |
获取价格 |
SOT23 PNP silicon planar Emitter-base voltage VEBO -6 V |
|
| BSS63R | KEXIN |
获取价格 |
High Voltage Transistor |
|
| BSS63R-T6 | ZETEX |
获取价格 |
SOT23 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
|
| BSS63R-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign |
|
| BSS63R-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign |
|
| BSS63S62Z | TI |
获取价格 |
200mA, 100V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
|
| BSS63-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, B |
|
| BSS63T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, B |
|
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