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BSS63LT1

更新时间： 2024-11-19 22:14:27
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管高压
页数 文件大小 规格书
4页 64K
描述
High Voltage Transistor(PNP Silicon)

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BSS63LT1 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：SOT-23包装说明：CASE 318-08, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.35最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.225 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：95 MHz
Base Number Matches：1

BSS63LT1 数据手册

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by BSS63LT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
COLLECTOR  
3
PNP Silicon  
1
BASE  
2
3
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
1
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Emitter Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
Vdc  
2
V
V
–100  
CEO  
CASE 318–08, STYLE 6  
SOT–23 (TO–236AB)  
CER  
R
= 10 kΩ  
–110  
–100  
BE  
Collector Current — Continuous  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
I
C
mAdc  
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
P
225  
mW  
D
T
= 25°C  
A
Derate above 25°C  
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R
JA  
D
P
(2)  
Alumina Substrate,  
Derate above 25°C  
T = 25°C  
A
2.4  
417  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
JA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
BSS63LT1 = T1  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = –100 µAdc)  
C
V
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
–100  
–110  
–110  
–6.0  
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
V
V
(BR)CER  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
(I = –10 µAdc, I = 0, R  
= 10 kΩ)  
C
E
BE  
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = –10 Adc, I = 0)  
Vdc  
—
E
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = –10 Adc)  
E
Vdc  
—
Collector Cutoff Current  
I
nAdc  
µAdc  
nAdc  
CBO  
(V  
CB  
= –90 Vdc, I = 0)  
–100  
–10  
–200  
E
Collector Cutoff Current  
(V = –110 Vdc, R  
I
CER  
EBO  
= 10 kΩ)  
—
CE BE  
Emitter Cutoff Current  
(V = –6.0 Vdc, I = 0)  
I
—
EB  
C
1. FR–5 = 1.0  
2. Alumina = 0.4  
0.75 0.062 in.  
0.3 0.024 in. 99.5% alumina.  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company.  
REV 1  
Motorola, Inc. 1996
1234

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