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BSS63-T

更新时间: 2024-11-24 19:50:07
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
6页 100K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal

BSS63-T 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:SOT-23
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.15
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:100 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):30
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):85 MHz
VCEsat-Max:0.25 VBase Number Matches:1

BSS63-T 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BSS63  
PNP high-voltage transistor  
Product data sheet  
2004 Jan 16  
Supersedes data of 1999 Apr 15  

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