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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 3.08 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.35 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 60 MHz |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BSS64 | ONSEMI |
类似代替  |
NPN 通用放大器 |
|
| BSS64LT1G | ONSEMI |
功能相似 |
Driver Transistor |
|
| MMBT6429LT1G | ONSEMI |
功能相似 |
Amplifier Transistors NPN Silicon |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSS64A | ROHM |
获取价格 |
BSS64A是采用SOT-23封装的晶体管，适用于高耐压放大。 |
|
| BSS64AHZG | ROHM |
获取价格 |
BSS64AHZG是采用SOT-23封装的晶体管，适用于高耐压放大。并且是符合AEC-Q1 |
|
| BSS64D87Z | TI |
获取价格 |
200mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
|
| BSS64E6327 | ROCHESTER |
获取价格 |
800mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| BSS64E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| BSS64E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| BSS64L | MOTOROLA |
获取价格 |
100mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-07, 3 PIN |
|
| BSS64L99Z | TI |
获取价格 |
200mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
|
| BSS64LT1 | LRC |
获取价格 |
Driver Transistors(NPN Silicon) |
|
| BSS64LT1 | MOTOROLA |
获取价格 |
Driver Transistor(NPN) |
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