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BSS64

更新时间: 2024-01-05 23:12:40
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管开关光电二极管高压
页数 文件大小 规格书
8页 46K
描述
NPN high-voltage transistor

BSS64 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.14最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:80 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):1000 nsVCEsat-Max:0.2 V
Base Number Matches:1

BSS64 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BSS64  
NPN high-voltage transistor  
1999 Apr 15  
Product specification  
Supersedes data of 1997 Sep 04  

BSS64 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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