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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BSS64LT1
BSS64LT1 PDF预览

BSS64LT1

更新时间： 2024-02-09 12:45:34
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体小信号双极晶体管光电二极管驱动放大器
页数 文件大小 规格书
4页 80K
描述
Driver Transistor(NPN)

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BSS64LT1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.29
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：NOT SPECIFIED
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：COMMERCIAL
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：60 MHz
Base Number Matches：1

BSS64LT1 数据手册

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by BSS64LT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
COLLECTOR  
3
NPN Silicon  
1
BASE  
2
3
EMITTER  
1
MAXIMUM RATINGS  
2
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
V
CEO  
80  
CASE 318–08, STYLE 6  
SOT–23 (TO–236AB)  
V
120  
5.0  
100  
Vdc  
CBO  
EBO  
Emitter–Base Voltage  
V
Vdc  
Collector Current — Continuous  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
I
C
mAdc  
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
P
225  
mW  
D
T
= 25°C  
A
Derate above 25°C  
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R
JA  
D
P
(2)  
Alumina Substrate,  
T
A
= 25°C  
Derate above 25°C  
2.4  
417  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
JA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
BSS64LT1 = AM  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 4.0 mAdc)  
C
V
V
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
80  
120  
5.0  
—
—
—
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 100 Adc)  
C
(BR)CBO  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 100 Adc)  
E
V
Vdc  
(BR)EBO  
Collector Cutoff Current  
I
µAdc  
CBO  
(V  
CE  
= 90 Vdc)  
(T = 150°C)  
—
—
0.1  
500  
A
Emitter Cutoff Current  
I
nAdc  
EBO  
(V  
EB  
= 4.0 Vdc)  
—
200  
1. FR–5 = 1.0 0.75 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 0.3 0.024 in. 99.5% alumina.  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company.  
REV 1  
Motorola, Inc. 1996
1234

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BSS64LT1 替代型号

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