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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.14 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 85 MHz | VCEsat-Max： | 0.25 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSS63S62Z | TI |
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200mA, 100V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
|
| BSS63-T | NXP |
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TRANSISTOR 100 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, B |
|
| BSS63T/R | NXP |
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TRANSISTOR 100 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, B |
|
| BSS63-T3 | ZETEX |
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SOT23 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
|
| BSS63TA | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BSS63-TAPE-13 | NXP |
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TRANSISTOR 100 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign |
|
| BSS63-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign |
|
| BSS63TC | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BSS63TRL | YAGEO |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BSS63TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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