5秒后页面跳转
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X24 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.6 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 70 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | COMPLEX | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X24 | 元件数量： | 7 |
| 端子数量： | 24 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 2.55 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSM50GP602 | ETC |
获取价格 |
IGBT Module |
|
| BSM50GP60G | ETC |
获取价格 |
IGBT Module |
|
| BSM50GX120DN2 | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Power Module |
|
| BSM600C12P3G201 | ROHM |
获取价格 |
BSM600C12P3G201是由SiC-UMOSFET和SiC-SBD构成的斩波模块。适 |
|
| BSM600D12P3G001 | ROHM |
获取价格 |
BSM600D12P3G001是由罗姆公司生产的SiC-UMOSFET和SiC-SBD构成 |
|
| BSM600D12P4G103 (新产品) | ROHM |
获取价格 |
BSM600D12P4G103 is a half bridge module consisting of SiC-UMOSFET, suitable for motor driv |
|
| BSM600GA120DLC | ROCHESTER |
获取价格 |
900A, 1200V, N-CHANNEL IGBT |
|
| BSM600GA120DLCHOSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 900A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, |
|
| BSM600GA120DLCS | ROCHESTER |
获取价格 |
IGBT, MODULE-5 |
|
| BSM600GA120DLCSHOSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 900A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
