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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 50 A | 集电极-发射极最大电压： | 1000 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | 元件数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最大功率耗散 (Abs)： | 500 W |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | VCEsat-Max： | 3.3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSM50GAL120D | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
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| BSM50GAL120DN2 | INFINEON |
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IGBT Power Module (Single switch with chopper diode Including fast free-wheeling diodes Pa |
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| BSM50GAL120DN2 | EUPEC |
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IGBT Power Module |
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| BSM50GB100D | INFINEON |
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IGBT MODULE |
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| BSM50GB120D | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) |
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| BSM50GB120DLC | EUPEC |
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IGBT-Modules |
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| BSM50GB120DN2 | INFINEON |
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IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated |
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| BSM50GB120DN2 | EUPEC |
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IGBT Power Module |
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| BSM50GB160D | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.6KV V(BR)CES | 70A I(C) |
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| BSM50GB170DN2 | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated |
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