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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | MODULE-7 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.59 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 115 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-XUFM-X7 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 7 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 460 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 370 ns | 标称接通时间 (ton)： | 110 ns |
| VCEsat-Max： | 2.6 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BSM50GB120DLC | EUPEC | IGBT-Modules |
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| BSM50GB120DN2 | INFINEON | IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated |
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| BSM50GB120DN2 | EUPEC | IGBT Power Module |
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| BSM50GB160D | ETC | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.6KV V(BR)CES | 70A I(C) |
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| BSM50GB170DN2 | INFINEON | IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated |
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| BSM50GB170DN2 | EUPEC | IGBT Power Module |
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