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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X35 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.64 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 80 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | COMPLEX |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-XUFM-X35 |
| 元件数量： | 7 | 端子数量： | 35 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 360 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 430 ns | 标称接通时间 (ton)： | 105 ns |
| VCEsat-Max： | 2.55 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSM50GP120BOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35 |
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| BSM50GP60 | EUPEC |
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Hochstzulassige Werte / Maximum rated values |
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| BSM50GP602 | ETC |
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IGBT Module |
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| BSM50GP60G | ETC |
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IGBT Module |
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| BSM50GX120DN2 | INFINEON |
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IGBT Power Module |
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| BSM600C12P3G201 | ROHM |
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BSM600C12P3G201是由SiC-UMOSFET和SiC-SBD构成的斩波模块。适 |
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| BSM600D12P3G001 | ROHM |
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BSM600D12P3G001是由罗姆公司生产的SiC-UMOSFET和SiC-SBD构成 |
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| BSM600D12P4G103 (新产品) | ROHM |
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BSM600D12P4G103 is a half bridge module consisting of SiC-UMOSFET, suitable for motor driv |
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| BSM600GA120DLC | ROCHESTER |
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900A, 1200V, N-CHANNEL IGBT |
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| BSM600GA120DLCHOSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 900A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, |
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