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BSM50GB120DLC

更新时间： 2024-09-28 09:00:27

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BSM50GB120DLC 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	MODULE-7
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	115 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X7
元件数量：	2	端子数量：	7
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	460 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	370 ns	标称接通时间 (ton)：	110 ns
VCEsat-Max：	2.6 V	Base Number Matches：	1

BSM50GB120DLC 数据手册

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

BSM50GB120DLC

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

collector-emitter voltage

T_vj= 25° C

V_CES

1200

T_C= 80 °C

T_C= 25 °C

I_C,nom.

I_C

Kollektor-Dauergleichstrom

DC-collector current

115

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current

_P= 1 ms, T_C= 80°C

I_CRM

100

460

Gesamt-Verlustleistung

total power dissipation

T_C=25°C, Transistor

P_tot

Gate-Emitter-Spitzenspannung

gate-emitter peak voltage

V_GES

+/- 20V

Dauergleichstrom

DC forward current

I_F

Periodischer Spitzenstrom

repetitive peak forw. current

_P= 1 ms

I_FRM

100

Grenzlastintegral der Diode

I²t - value, Diode

I²t

A²s

V_R= 0V, t_p= 10ms, T_Vj= 125°C

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

430

Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage

V_ISOL

2,5

Charakteristische Werte / Characteristic values

min. typ. max.

Transistor / Transistor

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

collector-emitter saturation voltage

_C= 50A, V_GE= 15V, T_vj= 25°C

V_{CE sat}

2,1

2,6

I_C= 50A, V_GE= 15V, T_vj= 125°C

2,4

2,9

Gate-Schwellenspannung

gate threshold voltage

_C= 2mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE(th)

4,5

5,5

0,53

3,3

0,21

6,5

Gateladung

gate charge

_GE= -15V...+15V

Q_G

µC

Eingangskapazität

input capacitance

f = 1MHz,T_vj= 25°C,V_CE= 25V, V_GE= 0V

V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_vj= 25°C

V_CE= 0V, V_GE= 20V, T_vj= 25°C

C_ies

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance

C_res

I_CES

I_GES

Kollektor-Emitter Reststrom

collector-emitter cut-off current

Gate-Emitter Reststrom

gate-emitter leakage current

400

prepared by: MOD-D2, Mark Münzer

approved by: SM TM; Wilhelm Rusche

date of publication: 2003-01-10

revision: 3.0

DB_BSM50GB120DLC_3.0

2003-01-10

1(8)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BSM50GB120DN2	EUPEC	获取价格	IGBT Power Module
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