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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | HALF-BRIDGE 1, 7 PIN |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.69 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 50 A | 集电极-发射极最大电压： | 1700 V |
| 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X7 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 7 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 500 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 740 ns | 标称接通时间 (ton)： | 500 ns |
| VCEsat-Max： | 3.9 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSM50GB60DLC | EUPEC |
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IGBT-Module |
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| BSM50GD120DLC | EUPEC |
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Technische Information / Technical Information |
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| BSM50GD120DLC | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 85A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-17 |
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| BSM50GD120DLCE3226 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, |
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| BSM50GD120DN2 | INFINEON |
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IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes) |
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| BSM50GD120DN2E3226 | INFINEON |
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IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes Packa |
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| BSM50GD120DN2G | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes) |
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| BSM50GD170DLV | ETC |
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IGBT Module |
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| BSM50GD60DLC | ETC |
获取价格 |
IGBT Module |
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| BSM50GD60DLCE3224 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, |
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