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Datasheet > 晶体管 > IGBT> BSM50GB170DN2
BSM50GB170DN2 PDF预览

BSM50GB170DN2

更新时间： 2024-11-15 22:39:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
9页 116K
描述
IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)

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BSM50GB170DN2 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete包装说明：MODULE-7
针数：7Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.67
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：72 A集电极-发射极最大电压：1700 V
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X7元件数量：2
端子数量：7最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：500 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：740 ns标称接通时间 (ton)：500 ns
VCEsat-Max：3.9 VBase Number Matches：1

BSM50GB170DN2 数据手册

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BSM 50 GB 170 DN2  
IGBT Power Module  
Preliminary data  
• Half-bridge  
• Including fast free-wheeling diodes  
• Package with insulated metal base plate  
• R  
= 27 Ohm  
G on,min  
Type  
V
I
Package  
Ordering Code  
CE  
C
BSM 50 GB 170 DN2  
1700V 72A  
HALF-BRIDGE 1  
C67070-A2701-A67  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Collector-gate voltage  
V
V
1700  
V
CE  
CGR  
Ω
R
= 20 k  
1700  
± 20  
GE  
Gate-emitter voltage  
DC collector current  
V
GE  
I
I
A
C
T = 25 °C  
72  
50  
C
T = 80 °C  
C
Pulsed collector current, t = 1 ms  
p
Cpuls  
T = 25 °C  
144  
100  
C
T = 80 °C  
C
Power dissipation per IGBT  
P
W
tot  
T = 25 °C  
500  
C
Chip temperature  
T
+ 150  
°C  
j
Storage temperature  
T
-55 ... + 150  
stg  
≤
≤
Thermal resistance, chip case  
Diode thermal resistance, chip case  
Insulation test voltage, t = 1min.  
Creepage distance  
R
R
0.25  
0.75  
K/W  
thJC  
thJCD  
is  
V
-
4000  
Vac  
mm  
20  
Clearance  
-
11  
DIN humidity category, DIN 40 040  
IEC climatic category, DIN IEC 68-1  
-
F
-
-
55 / 150 / 56  
Semiconductor Group  
1
Jul-31-1996  
1234567...9

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与BSM50GB170DN2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSM50GB60DLC EUPEC

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 		IGBT-Module
BSM50GD120DLC EUPEC

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 		Technische Information / Technical Information
BSM50GD120DLC INFINEON

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