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银河微电 - BL Galaxy Electrical | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
5页 | 523K | |
描述 | ||
7A, 20V, 1.25W, N Channel, Dual MOSFETs |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
BL8810DF2 | Galaxy Microelectronics | 5A, 20V, 1.13W, Dual MOSFETs |
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BL8812 | BELLING | BL8812是一款满足六级能效标准的原边反馈控制芯片,内部集成了2A 650V 的高压功率 |
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BL8812B | BELLING | BL8812B是一款满足六级能效标准的原边反馈小功率控制芯片。内部集成了650V/2A的高 |
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BL8851 | BELLING | BL8851是高精度、低成本SSR反激控制电路,集成软启动、抖频等功能,提供完整的保护功能 |
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BL8891B | BELLING |
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BL8N100 | BELLING | BL8N100, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology |
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