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BDX63B

更新时间： 2024-11-30 22:30:03

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2页	28K
描述
NPN EPITAXIAL BASE DARLINGTON POWER TRANSISTOR

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BDX63B 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-204AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.09	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	1000	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	7 MHz	Base Number Matches：	1

BDX63B 数据手册

BDX63

BDX63A

BDX63B

BDX63C

NPN EPITAXIAL BASE

MECHANICAL DATA

DARLINGTON POWER

TRANSISTOR

Dimensions in mm

26.6 max.

4. 2

9.0 max.

2.5

NPN epitaxial bas e trans is tors in

monolithic Darlington circuit for

audio output s tages and general

amplifier and s witching

applications .

10.9

12.8

PNP complements are:

BDX62, BDX62A, BDX62B, BDX62C.

TO3 Package.

Case connected to collector.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

=25°C unless otherwise stated)

case

BDX BDX BDX BDX

63 63A 63B 63C

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector - emitter voltage (open base)

Collector - base voltage (open emitter)

Emitter - base voltage (open collector)

Collector current

100 120

100 120 140

I_CM

Collector current (peak)

I_B

Base current

150

P_tot

T_j

Total power dissipation at T_case= 25°C

Maximum junction temperature

Storage junction temperature

Thermal resistance, junction to mounting base.

200

°C

T_stj

-65 to 200

1.94

°C

R_{th j-mb}

°C / W

Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk

Prelim. 7/93

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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