是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-3 |
包装说明: | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.09 | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 8 A | 集电极-发射极最大电压: | 100 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 1000 |
JEDEC-95代码: | TO-204AA | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | PNP | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 7 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BDX62C | COMSET |
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PNP SILICON DARLINGTONS | |
BDX62C | ISC |
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isc Silicon PNP Darlington Power Transistor | |
BDX62C | SEME-LAB |
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Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package | |
BDX63 | SEME-LAB |
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NPN EPITAXIAL BASE DARLINGTON POWER TRANSISTOR | |
BDX63 | ISC |
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isc Silicon NPN Darlington Power Transistor | |
BDX63 | COMSET |
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NPN SILICON DARLINGTONS | |
BDX63_12 | COMSET |
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NPN SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTOR | |
BDX63A | COMSET |
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NPN SILICON DARLINGTONS | |
BDX63A | ISC |
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isc Silicon NPN Darlington Power Transistor | |
BDX63A | SEME-LAB |
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NPN EPITAXIAL BASE DARLINGTON POWER TRANSISTOR |