BDX63B

更新时间： 2024-02-08 04:21:11

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管局域网
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2页	88K
描述
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

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BDX63B 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-204AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.36	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	140 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JEDEC-95代码：	TO-3	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	7 MHz

BDX63B 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

BDX63/A/B/C

DESCRIPTION

·Collector Current -I_C= 8A

·High DC Current Gain-h_FE= 1000(Min)@ I_C= 3A

·Complement to Type BDX62/A/B/C

APPLICATIONS

·Designed for audio output stages and general amplifier

and switching applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

BDX63

BDX63A

BDX63B

BDX63C

BDX63

100

120

140

Collector-Base

Voltage

V_CBO

BDX63A

BDX63B

BDX63C

Collector-Emitter

Voltage

V_CEO

100

120

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

0.15

Collector Power Dissipation

P_C

T_J

℃

@ T_C=25℃

Junction Temperature

200

-65~200

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance, Junction to Case

1.94

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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