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BDX63_12

更新时间： 2024-11-04 12:31:07

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COMSET		晶体晶体管
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4页	83K
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NPN SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTOR

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BDX63_12 数据手册

BDX63 – A – B – C

NPN SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTOR

The BDX63, BDX63A, BDX63 and BDX63C are mounted in TO-3 metal package.

High current power darlingtons designed for power amplification and switching applications.

The complementary PNP are BDX62, BDX62A, BDX62B, BDX62C.

Compliance to RoHS.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_CEO

Ratings

Value

Unit

BDX63

100

120

100

120

140

5.0

BDX63A

BDX63B

BDX63C

BDX63

BDX63A

BDX63B

BDX63C

Collector-Emitter Voltage

Collector-EmitterVoltage

V_CEV

V_BE=-1.5 V

V_EBO

I_C

Emitter-Base Voltage

Collector Current

I_C(RMS)

I_CM

I_B

P_T

Base Current

Power Dissipation

0.15

@ T_C= 25°

T_J

T_S

Junction Temperature

-55 to +200

°C

Storage Temperature

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

R_thJ-C

Ratings

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

1.94

°C/W

24/10/2012

COMSET SEMICONDUCTORS

1 | 4

12 3 4

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