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BDV65B

更新时间： 2024-11-17 22:27:27
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
6页 108K
描述
DARLINGTONS 10 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

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BDV65B 技术参数

是否无铅：含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：TO-218包装说明：PLASTIC, CASE 340D-02, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.25
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：10 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：1000
JEDEC-95代码：TO-218JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：125 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BDV65B 数据手册

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by BDV65B/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applica-  
tions.  
DARLINGTONS  
10 AMPERES  
•
High DC Current Gain  
HFE = 1000 (min.) @ 5 Adc  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
•
Monolithic Construction with Built–in Base Emitter Shunt Resistors  
POWER TRANSISTORS  
60–80–100–120 VOLTS  
125 WATTS  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
100  
100  
5.0  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
CB  
EB  
V
Collector Current — Continuous  
— Peak  
I
C
10  
20  
Base Current  
I
B
0.5  
Adc  
Total Device Dissipation  
P
D
@ T = 25 C  
125  
1.0  
Watts  
W/ C  
C
Derate above 25 C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–65 to +150  
C
J
stg  
CASE 340D–02  
SOT 93, TO–218 TYPE  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
θ
1.0  
C/W  
JC  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
T
, CASE TEMPERATURE (°C)  
C
Figure 1. Power Derating  
REV 8  
Motorola, Inc. 1996
123456

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BDV65B 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BDV65BG ONSEMI

完全替代

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功能相似

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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