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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-218 |
| 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.31 | 最大集电极电流 (IC)： | 15 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JEDEC-95代码： | TO-218 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 130 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 3.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | VCEsat-Max： | 4 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BDV65BG | ONSEMI |
功能相似  |
Complementary Silicon Plastic Power Darlingtons |
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| BDV64BG | ONSEMI |
功能相似 |
Complementary Silicon Plastic Power Darlingtons |
|
| BDV65B | ONSEMI |
功能相似 |
DARLINGTONS 10 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BDW83C_02 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
|
| BDW83C_07 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
NPN power Darlington transistor |
|
| BDW83CLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-218, Plasti |
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| BDW83D | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| BDW83D | COMSET |
获取价格 |
NPN SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS |
|
| BDW83D | BOURNS |
获取价格 |
NPN SILICON POWER DARLINGTONS |
|
| BDW83D | POINN |
获取价格 |
NPN SILICON POWER DARLINGTONS |
|
| BDW83D | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 |
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| BDW83D | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| BDW83D-S | BOURNS |
获取价格 |
NPN SILICON POWER DARLINGTONS |
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