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BDV67

更新时间： 2024-02-20 00:02:57

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	139K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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BDV67 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	最大集电极电流 (IC)：	16 A
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	60 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	标称过渡频率 (fT)：	40 MHz
Base Number Matches：	1

BDV67 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

BDV67/67A/67B/67C/67D

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·Complement to type BDV66/66A/66B/66C/66D

·DARLINGTON

·High DC current gain

APPLICATIONS

·For use in audio output stages and general

amplifier and switching applications.

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Tc=25ꢀ )

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

BDV67

BDV67A

BDV67B

BDV67C

BDV67D

BDV67

100

120

140

160

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

BDV67A

BDV67B

BDV67C

BDV67D

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

100

120

150

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

ꢀ

Collector current-peak

Base current

0.5

P_C

T_j

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

200

150

-65~150

T_stg

ꢀ

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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