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BDV66

更新时间： 2024-02-04 19:16:21

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	115K
描述
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

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BDV66 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	最大集电极电流 (IC)：	16 A
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	60 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	标称过渡频率 (fT)：	40 MHz
Base Number Matches：	1

BDV66 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

BDV66/A/B/C

DESCRIPTION

·Collector Current -I_C= -16A

·Collector-Emitter Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= -2.0V(Max.)@ I_C= -10A

·Complement to Type BDV67/A/B/C

APPLICATIONS

·Designed for audio output stages and general amplifier

and switching applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

-80

UNIT

BDV66

BDV66A

BDV66B

BDV66C

BDV66

-100

-120

-140

-60

Collector-Base

Voltage

V_CBO

BDV66A

BDV66B

BDV66C

-80

Collector-Emitter

Voltage

V_CEO

-100

-120

-5

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

-16

-20

Base Current-Continuous

-0.5

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

T_J

175

℃

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

-65~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance, Junction to Case

0.625 ℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BDV66A	COMSET	获取价格	PNP SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS
BDV66A	ISC	获取价格	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor
BDV66A	MOSPEC	获取价格	POWER TRANSISTORS(16A,60-100V,125W)
BDV66AF	PHILIPS	获取价格	Transistor,
BDV66A-SM	ETC	获取价格	TRANSISTOR DARLINGTON
BDV66B	MOSPEC	获取价格	POWER TRANSISTORS(16A,60-100V,125W)
BDV66B	ISC	获取价格	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor
BDV66B	COMSET	获取价格	PNP SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS
BDV66B-MAG	ETC	获取价格	TRANSISTOR DARLINGTON
BDV66C	COMSET	获取价格	PNP SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS