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BDV66B

更新时间: 2024-02-06 10:09:39
品牌 Logo 应用领域
统懋 - MOSPEC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 106K
描述
POWER TRANSISTORS(16A,60-100V,125W)

BDV66B 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.69最大集电极电流 (IC):16 A
配置:DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE):1000
JESD-609代码:e0最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):60 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)标称过渡频率 (fT):40 MHz
Base Number Matches:1

BDV66B 数据手册

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