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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.19 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 12 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | DARLINGTON |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 1000 | JEDEC-95代码： | TO-218 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN (315) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 60 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BDV65BG | ONSEMI |
类似代替  |
Complementary Silicon Plastic Power Darlingtons |
|
| TIP147G | ONSEMI |
类似代替 |
Darlington Complementary Silicon Power Transistors |
|
| BDW83C | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BDV64BLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-218, Plasti |
|
| BDV64C | BOURNS |
获取价格 |
PNP SILICON POWER DARLINGTONS |
|
| BDV64C | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Darlington Power Transistor |
|
| BDV64C | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| BDV64C | COMSET |
获取价格 |
PNP SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS |
|
| BDV64C | TRSYS |
获取价格 |
PNP SILICON POWER DARLINGTONS |
|
| BDV64C | POINN |
获取价格 |
PNP SILICON POWER DARLINGTONS |
|
| BDV64F | PHILIPS |
获取价格 |
Transistor, |
|
| BDV64LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-218, Plastic |
|
| BDV64-S | BOURNS |
获取价格 |
PNP SILICON POWER DARLINGTONS |
|
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