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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> BDV65A
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BDV65A

更新时间： 2024-11-18 03:21:35
品牌 Logo 应用领域
伯恩斯 - BOURNS /
页数 文件大小 规格书
5页 109K
描述
NPN SILICON POWER DARLINGTONS

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BDV65A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.74
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：12 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：1000JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BDV65A 数据手册

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BDV65, BDV65A, BDV65B, BDV65C  
NPN SILICON POWER DARLINGTONS  
●
Designed for Complementary Use with  
BDV64, BDV64A, BDV64B and BDV64C  
SOT-93 PACKAGE  
(TOP VIEW)  
●
●
●
125 W at 25°C CaseTemperature  
12 A Continuous Collector Current  
B
C
E
1
2
3
Minimum h of 1000 at 4 V, 5 A  
FE  
Pin 2 is in electrical contact with the mounting base.  
MDTRAAA  
absolute maximum ratings at 25°C case temperature (unless otherwise noted)  
RATING  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
BDV65  
60  
BDV65A  
BDV65B  
BDV65C  
BDV65  
80  
Collector-base voltage (IE = 0)  
Collector-emitter voltage (IB = 0)  
VCBO  
V
100  
120  
60  
BDV65A  
BDV65B  
BDV65C  
80  
VCEO  
V
100  
120  
Emitter-base voltage  
VEBO  
IC  
ICM  
IB  
5
12  
V
A
Continuous collector current  
Peak collector current (see Note 1)  
Continuous base current  
15  
A
0.5  
A
Continuous device dissipation at (or below) 25°C case temperature (see Note 2)  
Continuous device dissipation at (or below) 25°C free air temperature (see Note 3)  
Operating junction temperature range  
Ptot  
Ptot  
Tj  
125  
W
W
°C  
°C  
°C  
3.5  
-65 to +150  
-65 to +150  
260  
Storage temperature range  
Tstg  
TL  
Lead temperature 3.2 mm from case for 10 seconds  
NOTES: 1. This value applies for tp ≤ 0.1 ms, duty cycle ≤ 10%  
2. Derate linearly to 150°C case temperature at the rate of 0.56 W/°C.  
3. Derate linearly to 150°C free air temperature at the rate of 28 mW/°C.  
JUNE 1993 - REVISED SEPTEMBER 2002  
Specifications are subject to change without notice.  
1
12345

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