BDV65B

更新时间： 2024-11-17 22:27:27

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Complementary Silicon Plastic Power Darlingtons

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BDV65B 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.19
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	1000	JEDEC-95代码：	TO-218
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	125 W
最大功率耗散 (Abs)：	125 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	VCEsat-Max：	2 V
Base Number Matches：	1

BDV65B 数据手册

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by BDV65B/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

. . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applica-

tions.

DARLINGTONS

10 AMPERES

•

High DC Current Gain

HFE = 1000 (min.) @ 5 Adc

COMPLEMENTARY

SILICON

•

Monolithic Construction with Built–in Base Emitter Shunt Resistors

POWER TRANSISTORS

60–80–100–120 VOLTS

125 WATTS

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

100

5.0

Unit

Vdc

Adc

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

CEO

Collector Current — Continuous

— Peak

Base Current

0.5

Adc

Total Device Dissipation

@ T = 25 C

125

1.0

Watts

W/ C

Derate above 25 C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

–65 to +150

stg

CASE 340D–01

SOT 93, TO–218 TYPE

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

1.0

C/W

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

100

125

150

, CASE TEMPERATURE (°C)

Figure 1. Power Derating

REV 7

M^Mo^oto^tor^ro^ol^laa^{, I}B^ncip^{. 1}o⁹la⁹⁵r Power Transistor Device Data

12 3 4 5 6

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