BDV65C

更新时间： 2024-09-27 03:21:35

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伯恩斯 - BOURNS		晶体晶体管局域网
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描述
NPN SILICON POWER DARLINGTONS

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BDV65C 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.74
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	12 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	1000	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BDV65C 数据手册

BDV65, BDV65A, BDV65B, BDV65C

NPN SILICON POWER DARLINGTONS

●

Designed for Complementary Use with

BDV64, BDV64A, BDV64B and BDV64C

SOT-93 PACKAGE

(TOP VIEW)

●

125 W at 25°C CaseTemperature

12 A Continuous Collector Current

Minimum h of 1000 at 4 V, 5 A

Pin 2 is in electrical contact with the mounting base.

MDTRAAA

absolute maximum ratings at 25°C case temperature (unless otherwise noted)

RATING

SYMBOL

VALUE

UNIT

BDV65

BDV65A

BDV65B

BDV65C

BDV65

Collector-base voltage (I_E= 0)

Collector-emitter voltage (I_B= 0)

V_CBO

100

120

BDV65A

BDV65B

BDV65C

V_CEO

100

120

Emitter-base voltage

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Continuous collector current

Peak collector current (see Note 1)

Continuous base current

0.5

Continuous device dissipation at (or below) 25°C case temperature (see Note 2)

Continuous device dissipation at (or below) 25°C free air temperature (see Note 3)

Operating junction temperature range

P_tot

T_j

125

°C

3.5

-65 to +150

260

Storage temperature range

T_stg

T_L

Lead temperature 3.2 mm from case for 10 seconds

NOTES: 1. This value applies for t_p≤ 0.1 ms, duty cycle ≤ 10%

2. Derate linearly to 150°C case temperature at the rate of 0.56 W/°C.

3. Derate linearly to 150°C free air temperature at the rate of 28 mW/°C.

JUNE 1993 - REVISED SEPTEMBER 2002

Specifications are subject to change without notice.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BDV65CF	PHILIPS	获取价格	Transistor,
BDV65LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-218, Plastic
BDV66	ISC	获取价格	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor
BDV66	COMSET	获取价格	PNP SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS
BDV66	MOSPEC	获取价格	POWER TRANSISTORS(16A,60-100V,125W)
BDV66A	COMSET	获取价格	PNP SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS
BDV66A	ISC	获取价格	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor
BDV66A	MOSPEC	获取价格	POWER TRANSISTORS(16A,60-100V,125W)
BDV66AF	PHILIPS	获取价格	Transistor,
BDV66A-SM	ETC	获取价格	TRANSISTOR DARLINGTON