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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.69 | 最大集电极电流 (IC)： | 12 A |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 1000 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 标称过渡频率 (fT)： | 0.07 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BDV65ALEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-218, Plastic |
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| BDV65AS | NJSEMI |
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Trans Darlington NPN 80V 12A 3-Pin(3+Tab) SOT-93 |
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| BDV65B | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| BDV65B | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| BDV65B | BOURNS |
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NPN SILICON POWER DARLINGTONS |
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| BDV65B | MOTOROLA |
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Complementary Silicon Plastic Power Darlingtons |
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| BDV65B | ONSEMI |
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DARLINGTONS 10 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
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| BDV65B | NJSEMI |
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Trans Darlington NPN 100V 10A 3-Pin(3+Tab) SOT-93 Rail |
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| BDV65B | MOSPEC |
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POWER TRANSISTORS(12A,125W) |
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| BDV65B | POINN |
获取价格 |
NPN SILICON POWER DARLINGTONS |
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