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BD682

更新时间: 2024-11-03 20:23:15
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美国国家半导体 - NSC /
页数 文件大小 规格书
1页 45K
描述
TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,PNP,100V V(BR)CEO,4A I(C),TO-126

BD682 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.62
最大集电极电流 (IC):4 A配置:DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE):750JESD-609代码:e0
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):40 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT):10 MHzBase Number Matches:1

BD682 数据手册

  

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