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BD684A

更新时间： 2024-01-14 03:32:45

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COMSET		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	72K
描述
SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

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BD684A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.77
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	120 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	750
JEDEC-95代码：	TO-126	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BD684A 数据手册

PNP BD684 – BD684A

SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

The BD684 and BD684A are PNP eptaxial-base transistors in monolithic Darlington circuit for

audio and video applications.

They are mounted in Jedec TO-126 plastic package.

NPN complements are BD683 and BD683A.

Compliance to RoHS

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Ratings

Value

Unit

V_CEO

V_CBO

V_EBO

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

-120

-5

I_C

I_CM

-4

-6

I_C

Collector Current

I_BM

P_T

T_J

Base current peak value

Total power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

-0.1

150

@ T_mb= 25°C

°C

T_Stg

-65 to +150

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

Ratings

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction to mouting base

Thermal Resistance, Junction to ambient in free air

R_thJ-mb

R_thJ-a

3.12

100

K/W

23/10/2012

COMSET SEMICONDUCTORS

1 | 3

12 3

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与BD684A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BD684TO3	COMSET	获取价格	SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS
BD684-TO3	COMSET	获取价格	Transistor
BD684TO3_12	COMSET	获取价格	SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS
BD6859AFM-E2	ROHM	获取价格	AC Motor Controller, 1.3A, PDSO28, ROHS COMPLIANT, HSOP-28
BD6859AFP-Y-E2	ROHM	获取价格	AC Motor Controller, 1.3A, PDSO25, ROHS COMPLIANT, HSOP-25
BD68610EFV	ROHM	获取价格	36V Stepping Motor Driver
BD68610EFV-E2	ROHM	获取价格	36V Stepping Motor Driver
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