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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | End Of Life |
| 零件包装代码： | TO-225AA | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.14 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 4 A | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 750 |
| JEDEC-95代码： | TO-225AA | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BD682G | ONSEMI |
获取价格 |
Plastic Medium−Power Silicon PNP Darlingtons |
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| BD682LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic |
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| BD682S | ONSEMI |
获取价格 |
4.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor |
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| BD682STU | FAIRCHILD |
获取价格 |
PNP Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD), |
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| BD682STU | ONSEMI |
获取价格 |
4.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor, 1920-TUBE |
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| BD682T | ONSEMI |
获取价格 |
Plastic Medium−Power Silicon PNP Darlingtons |
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| BD682TG | ONSEMI |
获取价格 |
Plastic Medium−Power Silicon PNP Darlingtons |
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| BD683 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| BD683 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| BD683 | CENTRAL |
获取价格 |
NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR |
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