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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-126 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.12 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 45 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JEDEC-95代码： | TO-126 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 36 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BD437 | STMICROELECTRONICS |
类似代替  |
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
|
| BD437TG | ONSEMI |
功能相似 |
Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor |
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| BD437G | ONSEMI |
功能相似 |
Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BD437S_11 | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN Epitaxial Silicon Transistor |
|
| BD437T | ONSEMI |
获取价格 |
Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor |
|
| BD437TG | ONSEMI |
获取价格 |
Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor |
|
| BD438 | SECOS |
获取价格 |
Plastic Encapsulate Transistors |
|
| BD438 | MCC |
获取价格 |
PNP Silicon Power Transistors |
|
| BD438 | COMSET |
获取价格 |
SILICON PNP POWER TRANSISTORS |
|
| BD438 | TYSEMI |
获取价格 |
Medium Power Linear and Switching Applications Base Current IB -1 A |
|
| BD438 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| BD438 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| BD438 | INFINEON |
获取价格 |
PNP SILICON EPIBASE TRANSISTORS |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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