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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> BD437G
BD437G PDF预览

BD437G

更新时间： 2024-09-23 04:09:11
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
1页 55K
描述
Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor

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BD437G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-225AA包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 77-09, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：2 weeks
风险等级：0.59Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：4 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JEDEC-95代码：TO-225AAJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：36 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3 MHz
Base Number Matches：1

BD437G 数据手册

  
Transys  
Electronics  
L
I M I T E D  
TO-126 Plastic-Encapsulated Transistors  
BD433/435/437 TRANSISTOR (NPN)  
TO-126  
FEATURES  
Power dissipation  
PCM:  
1.25  
W (Tamb=25℃)  
1. EMITTER  
2. COLLECTOR  
3. BASE  
Collector current  
ICM:  
4
A
1 2 3  
Collector-base voltage  
V(BR)CBO  
:
BD433  
22 V  
BD435 32 V  
BD437 45 V  
Operating and storage junction temperature range  
TJ, Tstg: -55℃ to +150℃  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test conditions  
MIN  
TYP  
MAX  
UNIT  
BD433  
22  
32  
45  
22  
32  
45  
5
V(BR)CBO  
V
Collector-base breakdown voltage  
Ic=100µA, IE=0  
BD435  
BD437  
BD433  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
V
V
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
Ic=100mA, IB=0  
BD435  
BD437  
IE=100µA, IC=0  
CB=22V, IE=0  
V
BD433  
BD435  
VCB=32V, IE=0  
VCB=45V, IE=0  
µA  
1
BD437  
BD433  
BD435  
VCE=22V, IE=0  
ICEO  
VCE=32V, IE=0  
VCE=45V, IE=0  
VEB=5V, IE=0  
µA  
µA  
Collector cut-off current  
Emitter cut-off current  
10  
1
BD437  
IEBO  
hFE(1)  
V
CE=1V, IC=500mA  
85  
40  
30  
50  
40  
V
CE=5V, IC=10mA BD433/BD435  
BD437  
hFE(2)  
DC current gain  
V
CE=1V, IC=2A  
BD433/BD435  
BD437  
hFE(3)  
IC=2A, IB=0.2A  
BD433/BD435  
BD437  
0.5  
0.6  
1.1  
1.2  
VCE(sat)  
V
Collector-emitter saturation voltage  
VCE=1V, IC=2A  
BD433/BD435  
BD437  
VBE  
V
Base-emitter voltage  
Transition frequency  
3
MHz  
fT  
VCE=1V, IC=250mA  
1

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BD437G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BD437TG ONSEMI

完全替代

 Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor
BD437T ONSEMI

完全替代

 Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor
BD437 ONSEMI

完全替代

 POWER TRANSISTORS NPN SILICON

与BD437G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD437LEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
BD437P MCC

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 		TRANSISTOR 4 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Pu
BD437S FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
BD437S ONSEMI

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BD437S_11 FAIRCHILD

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BD438 SECOS

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 		SILICON PNP POWER TRANSISTORS

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