Datasheet > BD438

BD438

更新时间： 2024-01-02 03:29:27

品牌	Logo	应用领域
TYSEMI		晶体开关晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
1页	98K
描述
Medium Power Linear and Switching Applications Base Current IB -1 A

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BD438 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	,	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	43 weeks 1 day	风险等级：	5.12
最大集电极电流 (IC)：	4 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	85	JESD-609代码：	e3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	36 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	标称过渡频率 (fT)：	3 MHz
Base Number Matches：	1

BD438 数据手册

Product specification

BD438

Features

Medium Power Linear and Switching

Applications

1 EMITTER

2 COLLECTOR

3 BASE

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current (DC)

Collector Current (Pulse) *

Base Current

Symbol

V^CBO

V^CES

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

Unit

-45

-5

-4

I^CP

-7

-1

I^B

P^C

Collector Dissipation (TC=25

Junction Temperature

Storage Temperature

)

T^J

150

T^STG

-55 to 150

* Pulse Test: PW=300 s, duty Cycle=1.5% Pulsed

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

Testconditons

Min

-45

Typ

Max

Unit

Collector-Emitter Sustaining Voltage

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

V^CEO(sus)I^C= -100mA, I^B= 0

I^CBO

ICES

I^EBO

V^CB= -45V, I^E= 0

VCE = -45V

-100

-1

V^EB= -5V, I^C= 0

V^CE= -5V, I^C= -10mA

V^CE= -1V, I^C= -500mA

V^CE= -1V, I^C= -2A

I^C= -2A, I^B= -0.2A

V^CE=-5V, I^C= -10mA

V^CE=-1V, I^C= -2A

V^CE= -1V, I^C= -250mA

130

140

DC Current Gain *

h^FE

Collector-Emitter Saturation Voltage *

Base-Emitter ON Voltage *

V^CE(sat)

V^BE(on)

f^T

-0.2

-0.6

-1.2

-0.58

Current Gain Bandwidth Product

MHz

* Pulse Test: PW=300 s, duty Cycle=1.5% Pulsed

http://www.twtysemi.com

1 of 1

sales@twtysemi.com

4008-318-123

中文翻译

下载PDF

与BD438相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BD438/D	ETC	获取价格	Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor
BD438-BP	MCC	获取价格	暂无描述
BD438-BP-HF	MCC	获取价格	Power Bipolar Transistor,
BD438G	ONSEMI	获取价格	Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor
BD438LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/
BD438S	FAIRCHILD	获取价格	Medium Power Linear and Switching Applications
BD438S	ONSEMI	获取价格	4.0 A, 45 V PNP Power Bipolar Junction Transistor
BD438STU	FAIRCHILD	获取价格	PNP Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD),
BD438STU	ONSEMI	获取价格	4.0 A, 45 V PNP Power Bipolar Junction Transistor
BD438TG	ONSEMI	获取价格	Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor