5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 0.83 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 4 A | 集电极-发射极最大电压： | 22 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 |
| JEDEC-95代码： | TO-126 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 36 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BD434S_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 22V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
|
| BD434STU | FAIRCHILD |
获取价格 |
FAIRCHILD Small Signal Transistors |
|
| BD435 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Medium Power Linear and Switching Applications |
|
| BD435 | INFINEON |
获取价格 |
PNP SILICON EPIBASE TRANSISTORS |
|
| BD435 | ONSEMI |
获取价格 |
Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor |
|
| BD435 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 32V 4A 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
|
| BD435 | WINNERJOIN |
获取价格 |
TRANSISTOR (NPN) |
|
| BD435 | TYSEMI |
获取价格 |
Medium Power Linear and Switching Applications Base current IB 1 A |
|
| BD435 | TRSYS |
获取价格 |
EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS |
|
| BD435 | MCC |
获取价格 |
NPN Silicon Power Transistors |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
