是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | TO-251 | 包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.57 |
最大集电极电流 (IC): | 1.5 A | 集电极-发射极最大电压: | 80 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 63 |
JEDEC-95代码: | TO-251 | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | PNP |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BD140L-16-T160-K | UTC |
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PNP SILICON TRANSISTOR | |
BD140L-16-T60-K | UTC |
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Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plasti | |
BD140L-16-T6C-K | UTC |
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Power Bipolar Transistor, | |
BD140L-16-TM3-T | UTC |
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PNP SILICON TRANSISTOR | |
BD140L-6-T60-K | UTC |
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PNP SILICON TRANSISTOR | |
BD140L-6-T6C-K | UTC |
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Power Bipolar Transistor, | |
BD140L-6-TM3-T | UTC |
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PNP SILICON TRANSISTOR | |
BD140LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plasti | |
BD1416N50100A00 | ANAREN |
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RF Transformer, 1400MHz Min, 1600MHz Max, ROHS COMPLIANT | |
BD1416N50100AHF | ANAREN |
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XFRMR BALUN RF 1400-1600MHZ 0404 |