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BD159

更新时间： 2024-02-14 18:31:38

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2页	216K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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BD159 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	End Of Life
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.24	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	350 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-126
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	50 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	20 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BD159 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BD159

DESCRIPTION

·Collector–Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 350V(Min)

·DC Current Gain-

: h_FE= 30~240(Min) @ I_C= 50mA

APPLICATIONS

·Designed for power output stages for television, radio,

phonograph and other consumer product applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

375

UNIT

350

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

0.5

I_CM

1.0

I_B

0.25

Collector Power Dissipation

T_C=25℃

P_C

℃

Junction Temperature

150

T_i

Storage Temperature Range

-65~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

6.25

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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BD15BC0WFPE2	ROHM	获取价格	Fixed Positive LDO Regulator, 1.5V, PSSO5, ROHS COMPLIANT, TO-252, 5 PIN