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BD159STU PDF预览

BD159STU

更新时间： 2024-02-10 00:59:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器晶体管开关无线局域网
页数 文件大小 规格书
4页 44K
描述
For T.V Radio Audio Output Amplifiers

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BD159STU 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.24最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：350 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：50 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：20 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BD159STU 数据手册

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BD157/158/159  
Low Power Fast Switching Output Stages  
•
For T.V Radio Audio Output Amplifiers  
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
NPN Epitxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
: BD157  
: BD158  
: BD159  
275  
325  
375  
V
V
V
CBO  
: BD157  
: BD158  
: BD159  
250  
300  
350  
V
V
V
CEO  
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
*Collector Current (Pulse)  
Base Current  
5
0.5  
V
A
EBO  
I
I
I
C
1.0  
A
CP  
B
0.25  
20  
A
P
T
T
Collector Dissipation (T =25°C)  
W
°C  
°C  
C
C
Junction Temperature  
Storage Temperature  
50  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
BV  
*Collector-Emitter Breakdown Voltage  
CEO  
: BD157  
: BD158  
: BD159  
I
= 1mA, I = 0  
250  
300  
350  
V
V
V
C
B
I
Collector Cut-off Current  
: BD157  
CBO  
V
V
V
= 275V, I = 0  
100  
100  
100  
µA  
µA  
µA  
CB  
CB  
CB  
E
: BD158  
: BD159  
= 325V, I = 0  
E
= 375V, I = 0  
E
I
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
V
V
= 5V, I = 0  
100  
240  
µA  
EBO  
EB  
CE  
C
h
= 10V, I = 50mA  
30  
FE  
C
* Pulse Test: PW=300µs, duty Cycle=1.5% Pulsed  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, June 2001  
1234

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BD159STU 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BD159G ONSEMI

功能相似

 Plastic Medium-PowerSilicon NPN Transistor

与BD159STU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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